东芝双碳化硅模块推出 获高达90%开关损耗降低

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近日，东芝电子元件及存储装置株式会社推出业界首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块——“MG250YD2YMS3”。这款新产品采用东芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏极电流（DC）额定值为250A，适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用。该产品于今日开始支持批量出货。与传统的工业应用相比，该模块具有低导通损耗和0.7V（典型值）的低漏极-源极导通电压（传感器）。此外，它还具有较低的开通和关断损耗，分别为14mJ（典型值）和11mJ（典型值），与典型的硅（Si）IGBT相比降低了约90%。这些特性有助于提高设备效率。由于MG250YD2YMS3可实现较低的开关损耗，用户可采用模块数量更少的两电平电路取代传统的三电平电路，有助于设备的小型化。这款新产品是东芝不断满足市场对高效率和工业设备小型化需求的创新之举。该模块适用于工业设备，如可再生能源发电系统（光伏发电系统等）、储能系统、工业设备用电机控制设备以及高频DC-DC转换器等设备。

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